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  5. HSM835GE3/TR13

Microsemi Corporation - HSM835GE3/TR13

KEY Part #: K6438721

HSM835GE3/TR13 Preços (USD) [90270pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.44076
  • 3,000 pcs$0.43857
Número da peça:
HSM835GE3/TR13
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation HSM835GE3/TR13 electronic components. HSM835GE3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HSM835GE3/TR13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HSM835GE3/TR13 Atributos do produto

Número da peça : HSM835GE3/TR13
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 35V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 620mV @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 250µA @ 35V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-215AB, SMC Gull Wing
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-215AB
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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