Microsemi Corporation - APTGT200DH60G

KEY Part #: K6533193

APTGT200DH60G Preços (USD) [1087pcs Estoque]

  • 1 pcs$39.78983
  • 100 pcs$37.85680

Número da peça:
APTGT200DH60G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DH60G Atributos do produto

Número da peça : APTGT200DH60G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Asymmetrical Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 290A
Potência - Max : 625W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 12.3nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP6