Número da peça :
RN1705JE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Tipo de transistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) :
47 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) :
100nA (ICBO)
Freqüência - Transição :
250MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ESV