Infineon Technologies - FZ1200R45KL3B5NOSA1

KEY Part #: K6532759

FZ1200R45KL3B5NOSA1 Preços (USD) [35pcs Estoque]

  • 1 pcs$1004.74831

Número da peça:
FZ1200R45KL3B5NOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MODULE IGBT A-IHV190-4.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R45KL3B5NOSA1 Atributos do produto

Número da peça : FZ1200R45KL3B5NOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MODULE IGBT A-IHV190-4
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 4500V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 1200A
Potência - Max : 13500W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.85V @ 15V, 1200A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 280nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -50°C ~ 125°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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