IDC21D120T6MX1SA2 Preços (USD) [26568pcs Estoque]
- 1 pcs$1.55126
- Número da peça:
- IDC21D120T6MX1SA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IDC21D120T6MX1SA2 electronic components. IDC21D120T6MX1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC21D120T6MX1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDC21D120T6MX1SA2 Atributos do produto
Número da peça :
IDC21D120T6MX1SA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Atual - Média Retificada (Io) :
35A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
2.05V @ 35A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
7.7µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 175°C
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