Infineon Technologies - FP50R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6533275

FP50R07N2E4B11BOSA1 Preços (USD) [1236pcs Estoque]

  • 1 pcs$35.02826

Número da peça:
FP50R07N2E4B11BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE VCES 600V 50A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP50R07N2E4B11BOSA1 Atributos do produto

Número da peça : FP50R07N2E4B11BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE VCES 600V 50A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 70A
Potência - Max : -
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 3.1nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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