APT200GN60B2G Preços (USD) [3914pcs Estoque]
- 1 pcs$11.06360
- 10 pcs$10.23522
- 25 pcs$9.40536
- 100 pcs$8.74145
- 250 pcs$7.63090
- Número da peça:
- APT200GN60B2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 283A 682W TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT200GN60B2G electronic components. APT200GN60B2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GN60B2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT200GN60B2G Atributos do produto
Número da peça :
APT200GN60B2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 600V 283A 682W TO247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
283A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
600A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
1.85V @ 15V, 200A
Potência - Max :
682W
Energia de comutação :
13mJ (on), 11mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
1180nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
50ns/560ns
Condição de teste :
400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
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