GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-220

KEY Part #: K6444956

GB10SLT12-220 Preços (USD) [2272pcs Estoque]

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Número da peça:
GB10SLT12-220
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB10SLT12-220 Atributos do produto

Número da peça : GB10SLT12-220
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 40µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AC
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
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