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  5. CDBGBSC201200-G

Comchip Technology - CDBGBSC201200-G

KEY Part #: K6470411

CDBGBSC201200-G Preços (USD) [6888pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.98205
Número da peça:
CDBGBSC201200-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrição detalhada:
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER. Schottky Diodes & Rectifiers DUAL SiC POWER SCHOTTKY 20A 1200V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Comchip Technology CDBGBSC201200-G electronic components. CDBGBSC201200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBGBSC201200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBGBSC201200-G Atributos do produto

Número da peça : CDBGBSC201200-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrição : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 25.9A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247

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