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  5. UFS510GE3/TR13

Microsemi Corporation - UFS510GE3/TR13

KEY Part #: K6437058

UFS510GE3/TR13 Preços (USD) [53440pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.73533
  • 3,000 pcs$0.73167
Número da peça:
UFS510GE3/TR13
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 5A DO215AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation UFS510GE3/TR13 electronic components. UFS510GE3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UFS510GE3/TR13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UFS510GE3/TR13 Atributos do produto

Número da peça : UFS510GE3/TR13
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 5A DO215AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 5A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-215AB, SMC Gull Wing
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-215AB
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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