Vishay Semiconductor Diodes Division - BYWB29-200-E3/45

KEY Part #: K6456551

BYWB29-200-E3/45 Preços (USD) [133641pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.25197

Número da peça:
BYWB29-200-E3/45
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYWB29-200-E3/45 Atributos do produto

Número da peça : BYWB29-200-E3/45
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 20A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

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