Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 800V 4A DO214AB
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
800V
Atual - Média Retificada (Io) :
4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
-
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
1.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
100µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C