BAS19-HE3-18 Preços (USD) [2884683pcs Estoque]
- 1 pcs$0.01282
- 10,000 pcs$0.01186
- Número da peça:
- BAS19-HE3-18
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA 50ns
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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BAS19-HE3-18 Atributos do produto
Número da peça :
BAS19-HE3-18
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
200mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Rapidez :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
100nA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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