[22600pcs Estoque]
- Número da peça:
- KLUFG8R1EM-B0C1
- Fabricante:
- Samsung Semiconductor
- Descrição detalhada:
- UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: LPDDR3, GDDR6, DDR3, LPDDR5, SLC Nand, MODULE, HBM Flarebolt and GDDR5 ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Samsung Semiconductor KLUFG8R1EM-B0C1 electronic components. KLUFG8R1EM-B0C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KLUFG8R1EM-B0C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
KLUFG8R1EM-B0C1 Atributos do produto
Número da peça :
KLUFG8R1EM-B0C1
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descrição :
UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
Series :
DDR3
Versão :
UFS 2.1
Densidade :
512 GB
Voltagem :
1.8 / 3.3 V
Interface :
G3 2Lane
tamanho do pacote :
11.5 x 13 x 1.0 mm
Temp. :
-25 ~ 85 °C
Status do produto :
Mass Production
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