Microsemi Corporation - APTGT50DDA120T3G

KEY Part #: K6533146

APTGT50DDA120T3G Preços (USD) [2171pcs Estoque]

  • 1 pcs$19.94701
  • 100 pcs$19.48626

Número da peça:
APTGT50DDA120T3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50DDA120T3G electronic components. APTGT50DDA120T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50DDA120T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50DDA120T3G Atributos do produto

Número da peça : APTGT50DDA120T3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Dual Boost Chopper
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 75A
Potência - Max : 270W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 3.6nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP3