Infineon Technologies - 56DN06B01ELEMXPSA1

KEY Part #: K6428573

56DN06B01ELEMXPSA1 Preços (USD) [286pcs Estoque]

  • 1 pcs$161.79385

Número da peça:
56DN06B01ELEMXPSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 8400A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

56DN06B01ELEMXPSA1 Atributos do produto

Número da peça : 56DN06B01ELEMXPSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 8400A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 8400A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 980mV @ 8000A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100mA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : DO-200AB, B-PUK
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 180°C

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