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  5. MSRT200160(A)

GeneSiC Semiconductor - MSRT200160(A)

KEY Part #: K6469969

MSRT200160(A) Preços (USD) [1958pcs Estoque]

  • 1 pcs$23.10929
  • 25 pcs$22.99432
Número da peça:
MSRT200160(A)
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A) electronic components. MSRT200160(A) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT200160(A), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT200160(A) Atributos do produto

Número da peça : MSRT200160(A)
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 200A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 200A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Temperatura de funcionamento - junção : -
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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