Número da peça :
1N5809US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C