Infineon Technologies - IRGP35B60PDPBF

KEY Part #: K6423120

IRGP35B60PDPBF Preços (USD) [14021pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.53358
  • 100 pcs$2.07574
  • 500 pcs$1.76703
  • 1,000 pcs$1.49027

Número da peça:
IRGP35B60PDPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 600V 60A 308W TO247AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRGP35B60PDPBF Atributos do produto

Número da peça : IRGP35B60PDPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 600V 60A 308W TO247AC
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.55V @ 15V, 35A
Potência - Max : 308W
Energia de comutação : 220µJ (on), 215µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 160nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 26ns/110ns
Condição de teste : 390V, 22A, 3.3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 42ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AC