Número da peça :
1N6077US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 6A D5B
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.76V @ 18.8A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 100V
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SQ-MELF, E
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-5B
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 155°C