Vishay Semiconductor Diodes Division - S1M-E3/5AT

KEY Part #: K6433872

S1M-E3/5AT Preços (USD) [1784418pcs Estoque]

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Número da peça:
S1M-E3/5AT
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30A IFSM @ 8.3ms
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1M-E3/5AT Atributos do produto

Número da peça : S1M-E3/5AT
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 1.8µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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