Vishay Semiconductor Diodes Division - V8PAM12-M3/I

KEY Part #: K6428349

V8PAM12-M3/I Preços (USD) [556674pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06644

Número da peça:
V8PAM12-M3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC. Schottky Diodes & Rectifiers If 8A Vrrm 120V Ifsm 100A
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V8PAM12-M3/I Atributos do produto

Número da peça : V8PAM12-M3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 120V 8A DO221BC
Series : eSMP®, TMBS®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 120V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 880mV @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 500µA @ 120V
Capacitância @ Vr, F : 730pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-221BC (SMPA)
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 175°C

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