HN2D01JE(TE85L,F) Preços (USD) [1060332pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03488
- Número da peça:
- HN2D01JE(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01JE(TE85L,F) electronic components. HN2D01JE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN2D01JE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN2D01JE(TE85L,F) Atributos do produto
Número da peça :
HN2D01JE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Series :
-
Status da Peça :
Active
Configuração de diodo :
2 Independent
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
80V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) :
100mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 100mA
Rapidez :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
1.6ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
500nA @ 80V
Temperatura de funcionamento - junção :
150°C (Max)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-553
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ESV
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