Microsemi Corporation - JAN1N6624US

KEY Part #: K6451289

JAN1N6624US Preços (USD) [5495pcs Estoque]

  • 1 pcs$7.53689
  • 100 pcs$7.49939

Número da peça:
JAN1N6624US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 990V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6624US electronic components. JAN1N6624US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6624US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6624US Atributos do produto

Número da peça : JAN1N6624US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 990V 1A D5A
Series : Military, MIL-PRF-19500/585
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 990V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 500nA @ 990V
Capacitância @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, A
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5A
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

Você também pode estar interessado em
  • 8EWS10STRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • 8EWS12STRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • 8EWS10S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • 8EWS08STRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

  • 8EWS08STR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

  • 8EWF10STRL

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.