Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM10-800HE3/96

KEY Part #: K6457698

BYM10-800HE3/96 Preços (USD) [637631pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05801
  • 6,000 pcs$0.05304

Número da peça:
BYM10-800HE3/96
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM10-800HE3/96 Atributos do produto

Número da peça : BYM10-800HE3/96
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Series : SUPERECTIFIER®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 1A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-213AB, MELF (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-213AB
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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