Infineon Technologies - DD800S33K2CNOSA1

KEY Part #: K6472866

DD800S33K2CNOSA1 Preços (USD) [68pcs Estoque]

  • 1 pcs$520.79847

Número da peça:
DD800S33K2CNOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE VCES 1700V 800A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DD800S33K2CNOSA1 Atributos do produto

Número da peça : DD800S33K2CNOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 2 Independent
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 3300V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : -
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 3.5V @ 800A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1100A @ 1800V
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 125°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : A-IHV130-3

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