Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1EFH01-M3/I

KEY Part #: K6436407

VS-1EFH01-M3/I Preços (USD) [1196844pcs Estoque]

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Número da peça:
VS-1EFH01-M3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 1A SMF. Rectifiers Hypfst Rect 1A 100V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1EFH01-M3/I Atributos do produto

Número da peça : VS-1EFH01-M3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
Series : FRED Pt®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 930mV @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 16ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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