CRH01(TE85R,Q,M) Preços (USD) [651490pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05991
- 3,000 pcs$0.05961
- Número da peça:
- CRH01(TE85R,Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT. Rectifiers Diode Hi Efficiency 200V 1A
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CRH01(TE85R,Q,M) electronic components. CRH01(TE85R,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CRH01(TE85R,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CRH01(TE85R,Q,M) Atributos do produto
Número da peça :
CRH01(TE85R,Q,M)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
980mV @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOD-123F
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
S-FLAT (1.6x3.5)
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 150°C
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