DF200R12KE3HOSA1 Preços (USD) [992pcs Estoque]
- 1 pcs$46.80541
- Número da peça:
- DF200R12KE3HOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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DF200R12KE3HOSA1 Atributos do produto
Número da peça :
DF200R12KE3HOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuração :
Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
-
Potência - Max :
1040W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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