Toshiba Semiconductor and Storage - RN1910FE,LF(CT

KEY Part #: K6529286

RN1910FE,LF(CT Preços (USD) [1936260pcs Estoque]

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  • 100,000 pcs$0.01107

Número da peça:
RN1910FE,LF(CT
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1910FE,LF(CT Atributos do produto

Número da peça : RN1910FE,LF(CT
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) : -
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) : 100nA (ICBO)
Freqüência - Transição : 250MHz
Potência - Max : 100mW
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ES6

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