MT3S111P(TE12L,F) Preços (USD) [244499pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15128
- Número da peça:
- MT3S111P(TE12L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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MT3S111P(TE12L,F) Atributos do produto
Número da peça :
MT3S111P(TE12L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de transistor :
NPN
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
6V
Freqüência - Transição :
8GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) :
1.25dB @ 1GHz
Ganho :
10.5dB
Potência - Max :
1W
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
200 @ 30mA, 5V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100mA
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-243AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PW-MINI
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