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  5. 1N4006T-G

Comchip Technology - 1N4006T-G

KEY Part #: K6428359

1N4006T-G Preços (USD) [3371356pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.01157
  • 5,000 pcs$0.01152
Número da peça:
1N4006T-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41. Rectifiers DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Comchip Technology 1N4006T-G electronic components. 1N4006T-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4006T-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4006T-G Atributos do produto

Número da peça : 1N4006T-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrição : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : DO-204AL, DO-41, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-41
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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