Toshiba Semiconductor and Storage - JDP2S12CR(TE85L,Q

KEY Part #: K6464642

[9763pcs Estoque]


    Número da peça:
    JDP2S12CR(TE85L,Q
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    RF DIODE PIN 180V S-FLAT. PIN Diodes Radio-Freq SGL 180V 1.0pF 0.4 Ohm
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - retificadores de ponte ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S12CR(TE85L,Q electronic components. JDP2S12CR(TE85L,Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JDP2S12CR(TE85L,Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JDP2S12CR(TE85L,Q Atributos do produto

    Número da peça : JDP2S12CR(TE85L,Q
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : RF DIODE PIN 180V S-FLAT
    Series : -
    Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de Diodo : PIN - Single
    Tensão - pico reverso (máximo) : 180V
    Corrente - Max : 1A
    Capacitância @ Vr, F : 1.3pF @ 40V, 1MHz
    Resistência @ Se, F : 700 mOhm @ 10mA, 100MHz
    Dissipação de energia (máx.) : -
    Temperatura de operação : 175°C (TJ)
    Pacote / caso : SOD-123F
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : S-FLAT (1.6x3.5)