Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 30A DO4
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
30A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
975mV @ 30A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
15µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
140pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem :
Chassis, Stud Mount
Pacote / caso :
DO-203AA, DO-4, Stud
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-4
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C