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  5. CDBJSC10650-G

Comchip Technology - CDBJSC10650-G

KEY Part #: K6441944

CDBJSC10650-G Preços (USD) [19401pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.12417
Número da peça:
CDBJSC10650-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrição detalhada:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Comchip Technology CDBJSC10650-G electronic components. CDBJSC10650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJSC10650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC10650-G Atributos do produto

Número da peça : CDBJSC10650-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrição : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F : 710pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2 Full Pack
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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