IXYS - MEO550-02DA

KEY Part #: K6441119

MEO550-02DA Preços (USD) [1293pcs Estoque]

  • 1 pcs$35.15057
  • 10 pcs$33.01846
  • 25 pcs$31.52738
  • 100 pcs$29.82322

Número da peça:
MEO550-02DA
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MEO550-02DA Atributos do produto

Número da peça : MEO550-02DA
Fabricante : IXYS
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 582A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 520A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 200ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5mA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Y4-M6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Y4-M6
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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