Taiwan Semiconductor Corporation - HS3J R7G

KEY Part #: K6457481

HS3J R7G Preços (USD) [518468pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07134

Número da peça:
HS3J R7G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS3J R7G electronic components. HS3J R7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS3J R7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3J R7G Atributos do produto

Número da peça : HS3J R7G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 75ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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