FD-DF80R12W1H3_B52 Preços (USD) [2473pcs Estoque]
- 1 pcs$17.50946
- Número da peça:
- FD-DF80R12W1H3_B52
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT MODULE VCES 1200V 40A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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FD-DF80R12W1H3_B52 Atributos do produto
Número da peça :
FD-DF80R12W1H3_B52
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
40A
Potência - Max :
215W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 40A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
235nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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