Número da peça :
1N5811TR
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
150V
Atual - Média Retificada (Io) :
6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 150V
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C