RFN1LAM6STR Preços (USD) [1067595pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03830
- 3,000 pcs$0.03811
- 6,000 pcs$0.03430
- 15,000 pcs$0.03049
- 30,000 pcs$0.02858
- 75,000 pcs$0.02534
- Número da peça:
- RFN1LAM6STR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 700V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
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RFN1LAM6STR Atributos do produto
Número da peça :
RFN1LAM6STR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
800mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.45V @ 800mA
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOD-128
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PMDTM
Temperatura de funcionamento - junção :
150°C (Max)
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