Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWS12S-M3

KEY Part #: K6450133

VS-8EWS12S-M3 Preços (USD) [30662pcs Estoque]

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Número da peça:
VS-8EWS12S-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWS12S-M3 electronic components. VS-8EWS12S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWS12S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8EWS12S-M3 Atributos do produto

Número da peça : VS-8EWS12S-M3
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 50µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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