GeneSiC Semiconductor - 1N8033-GA

KEY Part #: K6446536

1N8033-GA Preços (USD) [1732pcs Estoque]

  • 10 pcs$91.47585

Número da peça:
1N8033-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8033-GA Atributos do produto

Número da peça : 1N8033-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V
Atual - Média Retificada (Io) : 4.3A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.65V @ 5A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F : 274pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-276AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-276
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 250°C
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