DDB2U30N08VRBOMA1 Preços (USD) [5951pcs Estoque]
- 1 pcs$6.92384
- Número da peça:
- DDB2U30N08VRBOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT MODULE 800V 50A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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DDB2U30N08VRBOMA1 Atributos do produto
Número da peça :
DDB2U30N08VRBOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT MODULE 800V 50A
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Configuração :
3 Independent
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
25A
Potência - Max :
83.5W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.55V @ 15V, 20A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
880pF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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