Taiwan Semiconductor Corporation - HER603G B0G

KEY Part #: K6431513

HER603G B0G Preços (USD) [417842pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.08852

Número da peça:
HER603G B0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 6A R-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HER603G B0G Atributos do produto

Número da peça : HER603G B0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 6A R-6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 6A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : 80pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : R6, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : R-6
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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