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  5. 1N3889R

GeneSiC Semiconductor - 1N3889R

KEY Part #: K6445887

1N3889R Preços (USD) [10012pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.68386
  • 10 pcs$2.39520
  • 25 pcs$2.15573
  • 100 pcs$1.96411
  • 250 pcs$1.77248
  • 500 pcs$1.59043
  • 1,000 pcs$1.34133
Número da peça:
1N3889R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4. Rectifiers 50V 12A REV Leads Fast Recovery
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3889R electronic components. 1N3889R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3889R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3889R Atributos do produto

Número da peça : 1N3889R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard, Reverse Polarity
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Atual - Média Retificada (Io) : 12A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 12A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 200ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 25µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Chassis, Stud Mount
Pacote / caso : DO-203AA, DO-4, Stud
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-4
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C
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