RN1105MFV,L3F Preços (USD) [4559pcs Estoque]
- 8,000 pcs$0.01146
- 16,000 pcs$0.00997
- 24,000 pcs$0.00897
- 56,000 pcs$0.00797
- 200,000 pcs$0.00664
- Número da peça:
- RN1105MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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RN1105MFV,L3F Atributos do produto
Número da peça :
RN1105MFV,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de transistor :
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) :
47 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) :
500nA
Freqüência - Transição :
-
Potência - Max :
150mW
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-723
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
VESM
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