BAV21WS-HE3-18 Preços (USD) [2097832pcs Estoque]
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- Número da peça:
- BAV21WS-HE3-18
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV21WS-HE3-18 electronic components. BAV21WS-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21WS-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV21WS-HE3-18 Atributos do produto
Número da peça :
BAV21WS-HE3-18
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
250mA (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
100nA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SC-76, SOD-323
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOD-323
Temperatura de funcionamento - junção :
150°C (Max)
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
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