MBRM110ET1G Preços (USD) [635119pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06145
- 3,000 pcs$0.06115
- 6,000 pcs$0.05721
- 15,000 pcs$0.05326
- 30,000 pcs$0.05260
- Número da peça:
- MBRM110ET1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 10V Low Leakage
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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MBRM110ET1G Atributos do produto
Número da peça :
MBRM110ET1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
10V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
530mV @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 10V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-216AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Powermite
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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