Infineon Technologies - DF200R12W1H3FB11BOMA1

KEY Part #: K6534532

DF200R12W1H3FB11BOMA1 Preços (USD) [1128pcs Estoque]

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Número da peça:
DF200R12W1H3FB11BOMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12W1H3FB11BOMA1 Atributos do produto

Número da peça : DF200R12W1H3FB11BOMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Series : EasyPACK™
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 30A
Potência - Max : 20mW
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.45V @ 15V, 30A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 6.15nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module