DF200R12W1H3FB11BOMA1 Preços (USD) [1128pcs Estoque]
- 1 pcs$38.34155
- Número da peça:
- DF200R12W1H3FB11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies DF200R12W1H3FB11BOMA1 electronic components. DF200R12W1H3FB11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12W1H3FB11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF200R12W1H3FB11BOMA1 Atributos do produto
Número da peça :
DF200R12W1H3FB11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Series :
EasyPACK™
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
30A
Potência - Max :
20mW
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
1.45V @ 15V, 30A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
6.15nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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