STMicroelectronics - STGW8M120DF3

KEY Part #: K6422348

STGW8M120DF3 Preços (USD) [22864pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.80246

Número da peça:
STGW8M120DF3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW8M120DF3 Atributos do produto

Número da peça : STGW8M120DF3
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Series : M
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 16A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 32A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 8A
Potência - Max : 167W
Energia de comutação : 390µJ (on), 370µJ (Off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 32nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 20ns/126ns
Condição de teste : 600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 103ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3